OMRON繼電器MOS FET全稱Metal-Oxide Field-Effect Transistor，其中M: Metal---金屬，O: Oxide---氧化物，S: Semiconductor---半導(dǎo)體，F(xiàn): Field---場,E: Effect---效應(yīng),T: Transistor---晶體管，代表金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管。它的內(nèi)部由3個芯片構(gòu)成，LED芯片+PDA芯片（光電二極管陣列）+MOS FET芯片共同組成，工作原理是通過LED發(fā)光--PDA發(fā)電--MOSFET開關(guān)，這三個過程相結(jié)合實(shí)現(xiàn)繼電器 的功能。

下面介紹下歐姆龍MOSFET繼電器的特點(diǎn):

1. 繼電器雖小仍可實(shí)現(xiàn)獨(dú)特的焊接性。

2. 超小型、輕量：除了SSOP、USOP之外，超小型封裝VSON、S-VSON全新登場，為設(shè)備的小型化做出貢獻(xiàn)。

3. 低驅(qū)動電流：在推薦運(yùn)行條件（標(biāo)準(zhǔn)）下的驅(qū)動電流為2-15mA左右。還有最小可用0.2mA驅(qū)動的產(chǎn)品，為整體設(shè)備的節(jié)能化做出貢獻(xiàn)。

4. 長壽命：采用光信號傳輸方式，實(shí)現(xiàn)無接點(diǎn)構(gòu)造。不會因接點(diǎn)磨損而縮短使用壽命，實(shí)現(xiàn)了長使用壽命。

5. 漏電流微弱：對外部浪涌有很高的耐心，而且還沒有緩沖電路，因此正常運(yùn)行時電流小于1nA，關(guān)閉時的漏電流也極其微弱。

6.  耐沖擊性出色：內(nèi)部部件完全為沖壓制品，而且沒有可動部等機(jī)構(gòu)部件，具有出色的耐沖擊性、耐震動性。

7. 高絕緣性：將電壓轉(zhuǎn)換成光、以信號形式進(jìn)行傳送，確保輸入輸出間耐電壓AC2500V。更高級的AC5000V也已實(shí)現(xiàn)系列化。

8. 靜音：不會像機(jī)械繼電器那樣在開閉金屬接點(diǎn)時會發(fā)出聲音，為設(shè)備的靜音化做出貢獻(xiàn)。

9. 高速響應(yīng)性：運(yùn)行時間僅0.2ms（SSOP\USOP、VSON），相比機(jī)械繼電器的3ms-5m，速度明顯提升。實(shí)現(xiàn)了高速響應(yīng)性。

10. 可準(zhǔn)確控制微小模擬信號：與機(jī)械繼電器同等的低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品，與雙向可控硅開關(guān)元件相比，不靈敏帶極小。微弱模擬信號的輸入波形可基本無任何失真地轉(zhuǎn)換為輸出波形。